买卖IC网 >> 产品目录 >> BF1206F,115 射频MOSFET小信号晶体管 Dual N-Channel 6V 30mA 180mW datasheet RF/IF 和 RFID
型号:

BF1206F,115

库存数量:可订货
制造商:NXP Semiconductors
描述:射频MOSFET小信号晶体管 Dual N-Channel 6V 30mA 180mW
RoHS:
详细参数
参数
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产品分类 RF/IF 和 RFID >> 射频MOSFET小信号晶体管
描述 射频MOSFET小信号晶体管 Dual N-Channel 6V 30mA 180mW
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制造商 NXP Semiconductors
配置 Dual
晶体管极性 Dual N-Channel
电阻汲极/源极 RDS(导通)
汲极/源极击穿电压 6 V
闸/源击穿电压
漏极连续电流 30 mA
功率耗散 180 mW
最大工作温度
安装风格 SMD/SMT
封装 / 箱体 SOT-666
封装 Reel
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供应商
公司名
电话
深圳市企诺德电子有限公司 13480313979
北京杰创宏达电子有限公司 010-61190909 沈小姐/伊小姐
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司销售一部 0755-23603360 江先生
北京天阳诚业科贸有限公司 17862669251 洪先生
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深圳市十德盛科技有限公司 0755-82719071 李先生
  • BF1206F,115 参考价格
  • 价格分段 单价(美元) 总价
    2,750 0.362 995.5
    4,000 0.336 1344
    8,000 0.312 2496
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