BF1206F,115 datasheet
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>> BF1206F,115 射频MOSFET小信号晶体管 Dual N-Channel 6V 30mA 180mW datasheet RF/IF 和 RFID
型号:
BF1206F,115
库存数量:
可订货
制造商:
NXP Semiconductors
描述:
射频MOSFET小信号晶体管 Dual N-Channel 6V 30mA 180mW
RoHS:
否
详细参数
参数
数值
产品分类
RF/IF 和 RFID >> 射频MOSFET小信号晶体管
描述
射频MOSFET小信号晶体管 Dual N-Channel 6V 30mA 180mW
BF1206F,115 PDF下载
制造商
NXP Semiconductors
配置
Dual
晶体管极性
Dual N-Channel
电阻汲极/源极 RDS(导通)
汲极/源极击穿电压
6 V
闸/源击穿电压
漏极连续电流
30 mA
功率耗散
180 mW
最大工作温度
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-666
封装
Reel
相关资料
属性
链接
代理商
BF1206F,115
BF1206-TL
BF1207
BF1207,115
BF1207T/R
BF1208
供应商
公司名
电话
深圳市企诺德电子有限公司
13480313979
胡
北京杰创宏达电子有限公司
010-61190909
沈小姐/伊小姐
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司销售一部
0755-23603360
江先生
北京天阳诚业科贸有限公司
17862669251
洪先生
深圳市华雄半导体(集团)有限公司
17623594308
苗凤军
深圳市十德盛科技有限公司
0755-82719071
李先生
BF1206F,115 参考价格
价格分段
单价(美元)
总价
2,750
0.362
995.5
4,000
0.336
1344
8,000
0.312
2496
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